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　　在千亿级DRAM内存芯片市场，中国曾是“消费大国”却沦为“技术洼地”，全球90%以上份额被三星、SK海力士、美光三家牢牢掌控，我们消耗着全球40%的产能，却只能高价进口、看人脸色。

　　为了打破这份被动，中国芯片人整整坚守了50年，累计烧掉408亿真金白银，历经无数次亏损与挫折，终于迎来历史性突破。

　　中国芯片巨头长鑫科技的逆袭，不仅改写了全球DRAM市场的垄断格局，更终结了中国“无自主内存芯片”的尴尬。

　　那么，这份跨越半世纪的坚守，究竟藏着多少不为人知的艰辛？在海外技术、设备、专利三重封锁下，长鑫科技凭什么能脱颖而出、实现扭亏为盈？

　　中国芯片在DRAM领域的突围，从来不是一场速战速决的战役，而是一场跨越半世纪的持久战，每一步都走得异常艰难。

　　这份坚守，始于1975年，那一年，我们做出了第一颗1K DRAM芯片，正式开启了自主研发的征程，谁也没想到，这条追光之路，一走就是50年。

　　早年，中国芯片技术刚起步，而海外巨头早已凭借规模优势和专利壁垒，垄断了全球市场。

　　到2016年，国内先进DRAM领域依旧一片空白，需求旺盛而产能匮乏，我们只能眼睁睁看着核心技术被“卡脖子”。

　　就在这样的绝境中，长鑫科技于2016年正式起步，扛起了自主突破的大旗，而合肥市的精准布局，成为了它最坚实的后盾。

　　借鉴发展显示面板的成功经验，合肥市政府2017年宣布总投资72亿美元建设芯片工厂，一期就投入180亿元人民币，由合肥产投牵头，为长鑫科技筑牢了资金根基。

　　坚守的路上，挫折与亏损如影随形，同期另一家福建芯片企业，因合作纠纷被美国盯上，项目被迫停滞。

　　长鑫科技吸取教训，通过合法渠道拿下德国奇梦达破产后的专利与技术文档，1000多万份资料、2.8TB数据，为自身研发打下基础。

　　为了突破技术瓶颈，长鑫科技持续加大研发投入，2022至2024年研发投入达152亿元，累计研发投入超188亿元，占营收比重超过三成，截至2025年6月底，企业累计亏损高达408.57亿元。

　　但即便面对巨亏，长鑫科技也从未放弃，一边深耕专利布局，从2017年提交354项专利，到累计拥有境内外专利超4000项，筑起自主专利防护墙。

　　一边稳步推进产能爬坡，一点点提升产品良率，在绝境中咬牙坚持，只为等待破局的那一刻。

　　长鑫科技的逆袭，从来不是靠运气，而是在海外三重封锁下，用创新走出的一条务实之路，没有EUV光刻机，就用现有设备攻坚克难，没有成熟技术路径，就用跳代研发追赶差距；没有专利优势，就靠自主积累筑牢防线。

　　海外巨头的封锁，首先体现在核心设备上，我们买不到最先进的EUV光刻机，这意味着无法直接量产高端芯片。

　　面对困境，长鑫科技没有退缩，而是另辟蹊径，采用浸没式DUV设备，通过优化多重曝光工艺，硬生生做出了比肩海外对手的高存储密度，用工艺创新弥补了设备的差距，这份“笨办法”，恰恰彰显了中国芯片人的韧性。

　　在研发策略上，长鑫科技大胆采用“跳代研发”，几代工艺平台同步推进，短短不到六年时间，就完成了从第一代到第四代工艺的突破，大幅缩短了与海外巨头的差距。

　　2019年9月，长鑫科技推出第一颗8Gb DDR4芯片，实现了中国自主DRAM芯片从零到一的跨越。

　　2024年底，DDR5和LPDDR5芯片顺利量产，速率达到全球主流水平，成功适配手机、服务器等核心应用场景，彻底打破了海外芯片的技术垄断。

　　与此同时，长鑫科技深耕人才建设，研发人员占员工总数三成以上，用高素质团队支撑技术创新，让每一笔研发投入，都转化为突破的动力。

　　50年坚守，408亿投入，所有的付出，终于在2025年迎来了回报。长鑫科技的盈利逆袭，不仅是企业自身的突破，更是中国芯片产业自主发展的重要里程碑，印证了“坚持就有收获”的行业规律。

　　2024年底，全球DRAM价格迎来反弹，叠加AI服务器需求的爆发式增长，长鑫科技精准把握市场机遇，将产能利用率提升至94%，产品销量大幅攀升。

　　2025年前三季度，企业营收达到320.84亿元，同比增长近100%，其中三季度单季营收同比增幅高达148.8%，毛利率回升至35%，实现了跨越式增长。

　　全年预计营收550亿至580亿元，净利润可达20亿至35亿元，彻底摆脱长期亏损的困境，实现扭亏为盈。

　　这份逆袭，背后是长期的积累与沉淀。截至2025年二季度，长鑫科技按出货量稳居全球第四、中国第一，市场份额达到3.97%，虽然目前产能仅为三星的三分之一，暂未进入HBM高端领域，但已成功打破了三家海外巨头的垄断格局。

　　如今，国内主流终端厂商已纷纷与长鑫科技合作，中国市场终于有了进口之外的第二选择，行业议价空间大幅提升，彻底改变了过去“花钱买芯片还得看人脸色”的被动局面。

　　2025年12月30日，上交所受理长鑫科技295亿元IPO申请，这一科创板历史上第二大规模的募资，将进一步助力长鑫科技升级产线、深耕前沿技术，为后续发展注入新的动力。

　　长鑫科技的突破，从来不止是一家企业的逆袭，更是中国芯片产业崛起的缩影，它用50年坚守、408亿投入，证明了核心技术买不来、求不来，唯有自主创新、咬牙坚守，才能打破海外封锁，实现自主可控。

　　这份突破，为中国芯片供应链安全筑牢了防线，DRAM内存芯片是电子设备的核心部件，广泛应用于手机、电脑、服务器等产品，长鑫科技的自主量产，彻底终结了中国“无自主内存芯片”的尴尬。

　　减少了对海外进口的依赖，让中国电子产业的供应链多了一层保障，也为国内芯片行业树立了标杆。

　　其“合法专利积累+高强度研发+跳代追赶+工艺创新”的路径，以及在亏损中坚持创新的韧性，为后续更多芯片企业提供了宝贵的借鉴经验。

　　未来，中国芯片的征程依旧漫长，但希望已然清晰，预计2029年全球DRAM市场规模将实现翻倍，中国市场的需求将持续发挥拉动作用，长鑫科技凭借现有的技术、专利和产能基础，有望在高端领域实现更大突破。

　　国家大基金、地方国资、产业资本的协同托底，也将为中国芯片产业的发展注入持续动力。

　　长鑫科技的逆袭，只是中国芯片突破海外封锁的一个开始，在更多“长鑫式”企业的坚守与创新中，中国芯片必将摆脱“卡脖子”困境，走向自主自强，在全球芯片市场中占据重要地位，书写属于中国芯片的辉煌篇章。

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